后曝光氮氣烘箱，PEB無(wú)塵烘箱所使用的高溫（100-130°C）會(huì )使光敏化合物擴散，從而消除駐波波紋.百級潔凈度無(wú)塵化，專(zhuān)用于半導體，集成電路。
后曝光氮氣烘箱，PEB無(wú)塵烘箱應用工藝
無(wú)塵烘箱所使用的高溫（100-130°C）會(huì )使光敏化合物擴散，從而消除駐波波紋.百級潔凈度無(wú)塵化，專(zhuān)用于半導體，集成電路。
一種減少駐波效應的方法稱(chēng)為后曝光烘烤（PEB）。所使用的高溫（100-130°C）會(huì )使光敏化合物擴散，從而消除駐波波紋。重要的是要注意，高溫對光刻膠的有害影響，如上所述的PAB，也適用于PEB。因此，優(yōu)化烘烤條件變得非常重要。此外，曝光產(chǎn)物的擴散速率取決于PAB條件-存在溶劑可以增強PEB過(guò)程中的擴散。因此，低溫后曝光烘烤可以在給定的PEB溫度下產(chǎn)生更大的擴散。
對于常規光刻膠，PEB的主要意義在于消除駐波的擴散。對于另一類(lèi)稱(chēng)為化學(xué)增強光刻膠的光刻膠，PEB是產(chǎn)生曝光和未曝光部分光刻膠可溶解度差異的化學(xué)反應的必要組成部分。對于這些光刻膠，曝光產(chǎn)生一小部分強酸，它本身不會(huì )改變光刻膠的溶解度。在后曝光烘烤期間，這種光產(chǎn)生的酸催化了一種反應，改變了光刻膠中聚合物樹(shù)脂的溶解度。對于化學(xué)增強光刻膠，PEB的控制非常關(guān)鍵。
后曝光氮氣烘箱，PEB無(wú)塵烘箱性能
潔凈度：Class100;
溫度：RT+15～300℃；
工藝氣體：N2
計時(shí)功能：0-99H99M99S
設備材質(zhì)：內部SUS304不銹鋼
工作尺寸（mm）：
450×450×450(4)
500×500×550(6)
600×600×700(8)
（可定制）
網(wǎng)板：活動(dòng)式2塊
無(wú)塵烘箱，百級潔凈烘箱適用性：
氮氣烘箱也適用于IC封裝、光刻膠固化、銀膠固化、電子液晶顯示、LCD、CMOS、MEMS、醫藥、實(shí)驗室等生產(chǎn)及科研.
