HMDS烘箱在Micro-LED芯片的應用

HMDS烘箱在Micro-LED芯片的應用

    Micro-LED具有*的性能，應用于微型顯示器、可見(jiàn)光通信、光學(xué)生物芯片、可穿戴設備和生物傳感器等領(lǐng)域。目前，Micro-LED顯示的技術(shù)挑戰是如何獲得高分辨率和高像素密度。像素尺寸縮小、芯片的周長(cháng)面積比增大，導致側壁的表面復合增多，非輻射復合速率變大，從而致使光電效率下降。器件制備過(guò)程中的ICP刻蝕，加重了側壁缺陷。另外，對于磷化Micro-LED，在較高的驅動(dòng)電流下，熱刺激LED的多量子阱有源區和電子阻擋層中的注入電子泄漏到LED結構的P側，導致效率下降，即efficiency droop現象。因此，LED的散熱性能對于磷化LED頗為重要。
    Micro LED應用將從平板顯示擴展到AR/VR/MR、空間顯示、柔性透明顯示、可穿戴/可植入光電器件、光通信/光互聯(lián)、醫療探測、智能車(chē)燈等諸多領(lǐng)域。預計到2025年，基于Micro-LED技術(shù)的產(chǎn)品如 電視機、手機、手表等將逐步上市，市場(chǎng)產(chǎn)值將超過(guò)28億美元。到2035年，我國將實(shí)現基于Micro-LED的超大規模集成發(fā)光單元的顯示模塊，并實(shí)現Micro-LED在照明、空間三維顯示、空間定位及信息通信高度集成系統。   

    中國科學(xué)院長(cháng)春光學(xué)精密機械與物理研究所應用光學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗室梁靜秋研究團隊使用晶圓鍵合和襯底轉移技術(shù)，制備五種像素尺寸（最小尺寸為10μm）的硅襯底AlGaInP紅光Micro-LED以探究其尺寸效應。研究采用低損傷刻蝕技術(shù)減小LED芯片側壁缺陷；采用散熱性能更好的硅襯底代替GaAs襯底，改善LED芯片的散熱性，且避免GaAs襯底對紅光的吸收。實(shí)驗結果表明，隨著(zhù)尺寸的減小，Micro-LED芯片的外量子效率下降，但可承受的最大電流密度增加，高注入電流下散熱性改善，且中心波長(cháng)隨注入電流的偏移減小。

在該文中所述的襯底疏水處理時(shí)HMDS烘箱預處理系統是優(yōu)選的處理設備

智能型HMDS真空系統的用途：

   在半導體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉移重要的一個(gè)工藝環(huán)節，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時(shí)顯影液會(huì )侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形轉移的失敗，同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側向腐蝕。增黏劑 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS氣相沉積至半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、晶圓等材料表面后，經(jīng)系統加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結合，起著(zhù)偶聯(lián)劑的作用。