高溫無(wú)氧烤箱在低介電常數BCB樹(shù)脂的固化工藝中的操作方法

　　低介電常數BCB樹(shù)脂的固化方法，具體步驟如下：

　　1:在半導體芯片表面涂覆一層粘附劑;

　　2:通過(guò)旋轉方式在半導體芯片表面的粘附劑上涂覆一層液態(tài)BCB樹(shù)脂，接著(zhù)將涂覆好BCB樹(shù)脂的半導體芯片放入高溫無(wú)氧烤箱中，并通入氮氣保護;

　　3:加熱高溫無(wú)氧烤箱，使涂覆BCB樹(shù)脂的半導體芯片達到一第一溫度，穩定一段時(shí)間，使BCB樹(shù)脂中的溶劑分布均勻;

　　4:再將加熱無(wú)氧烤箱升高到一第二溫度，穩定一段時(shí)間，使BCB樹(shù)脂中的溶劑充分揮發(fā);

　　5:再將加熱高溫無(wú)氧烤箱升高至一第三溫度，穩定一段時(shí)間，在半導體芯片表面形成低介電常數的樹(shù)脂薄膜;

　　6:高溫無(wú)氧烤箱降溫至100度以下；

　　7:關(guān)氮氣，取出產(chǎn)，完成固化工藝。