PI固化厭氧烘箱,聚酰亞胺固化爐應用機制:?
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? 微機電系統(MEMS)是微電子技術(shù)與機械,光 學(xué)等領(lǐng)域交叉融合的產(chǎn)物,是在IC工藝技術(shù)基礎上的延伸和拓?展,是微電子技術(shù)應用的新突破。犧牲層技術(shù)作為MEMS的關(guān)鍵技術(shù)之一,是利用不同材料在同一種腐蝕液(或腐蝕氣)中腐蝕速率的差異,選擇性地將結構圖形與襯底之間的材料(即犧牲層材料)刻蝕掉,進(jìn)行結構釋放,形成空腔上膜或其他懸空結構的一種微加工技術(shù)。
? 與其它光刻膠,金屬相比,光敏性PI作為犧牲層材料時(shí)有以下一些優(yōu)點(diǎn):粘度高,容易制得高厚度的犧牲層;具有較好的流動(dòng)性,使得犧牲層表面更易于平坦化,有利于制作平整的結構;具有出色的耐熱性能,使其更容易與其他MEMS工藝相兼容;對酸堿穩定,耐腐蝕,且不溶于丙酮、乙醇等多數有機溶劑。因此,光敏聚酰亞胺是犧牲層的優(yōu)選材料。?
PI固化厭氧烘箱,聚酰亞胺固化爐技術(shù)參數:
1. 溫度范圍:RT+50~500℃
2. 腔體尺寸(cm):W50×D50×H50;可自定
3. 外形尺寸(cm):約173×160×119mm(W×D×H);
4. 內膽材質(zhì):SUS304鏡面不銹鋼;
5. 加熱器:特制無(wú)塵加熱器;
6. 氧含量指標:≤ 50ppm
7. 電源:380V/50HZ,三相五線(xiàn)制
8. 控制部分
a. 控制:曲線(xiàn)升溫模式;
b. 控溫儀表:觸摸屏溫控儀;
c. 控溫段數:多段數,多工藝;
d. 超溫報警:獨立限溫控制;
9.氮氣控制:裝有雙通道可調式氮氣流量計,全程通氮氣。
10.輔助降溫:風(fēng)冷、水冷
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?11.厭氧烘箱應用于聚酰亞胺層(PI)固化烘烤.應用聚酰亞胺時(shí)需要注意的問(wèn)題是厚度控制和亞胺化處理。一旦?亞胺化處理不當,聚酰亞胺膜層將發(fā)生降解和裂紋的現象,使其性能下降。另外,不同的亞胺化方法,所獲得聚酰亞胺薄膜材料的性能也不一樣,實(shí)驗中需嚴格控制亞胺化過(guò)程。
12.亞胺化的過(guò)程包含二個(gè)步驟:圖形化后的預亞胺化和*亞胺化。多次實(shí)驗后采用階梯升溫過(guò)程,亞胺化效果*。采用程控烘箱進(jìn)行亞胺化,烘箱內為純N2氛圍,如果升溫速率過(guò)快,表面的溶劑和水蒸氣急劇揮如果升溫速率過(guò)快,表面的溶劑和水蒸氣急劇揮發(fā),而內部的溶劑和水蒸氣卻殘留在薄膜內,則容易在犧牲層中產(chǎn)生氣孔開(kāi)裂;如果保溫時(shí)間不夠,將使溶劑不能*排除,隨后的高溫亞胺化過(guò)程中同樣會(huì )產(chǎn)生氣泡甚至開(kāi)裂,就不能形?成機械強度良好的亞胺膜.
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