光刻為什么需要智能型圖形反轉真空系統/氨氣烘箱？

智能型圖形反轉真空系統/氨氣烘箱定制的背景

   在曝光小尺寸圖形時(shí)，我們傾向于使用正膠，這一點(diǎn)在前面已經(jīng)討論過(guò)了。其中一個(gè)原因就是正膠適于使用暗場(chǎng)掩模版做孔洞。暗場(chǎng)掩模版大部分被鉻覆蓋，因為鉻不會(huì )像玻璃一樣易損，所以缺陷比較少。然而，一些掩模版用來(lái)曝光島區,而不是孔洞，比如金屬層掩模版上是島區圖形。遺憾的是，用正膠做島區的光刻需要使用亮場(chǎng)掩模版，而它的玻璃容易損傷。

   一種使用正膠和暗場(chǎng)掩模版做出島區的工藝是圖像反轉。它采用了傳統的暗場(chǎng)掩模版成像方法(見(jiàn)下圖)，在曝光結束后，光刻膠里的圖形與想要得到的圖形是相反的，也就是說(shuō)，如果接著(zhù)顯影的話(huà)，會(huì )得到孔洞而不是島區。

智能型圖形反轉真空系統/氨氣烘箱的工藝標準  

  圖形反轉工藝的主要步驟為將涂膠的晶圓放置在有氨蒸氣的智能型圖形反轉真空系統/氨氣烘箱中。氨蒸氣穿透光刻膠，改變其極性。將晶圓從真空烘箱中取出，再進(jìn)行泛光曝光，從而完成整個(gè)圖形反轉工藝。氨氣烘焙和泛光曝光的效果是改變曝光區域和非曝光區域的相對分解率，在接下來(lái)的顯影步驟便可以實(shí)現圖形反轉了。這一工藝可以實(shí)現與非圖形反轉工藝同樣的分辨率。